Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The TPCA8055-H is a power MOSFET manufactured by TOSHIBA. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min) to 4.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The TPCA8055-H is a high-performance N-channel power MOSFET designed for applications requiring low on-resistance and high-speed switching. It is suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High-speed switching capability  
- Low gate charge for improved efficiency  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  
- TO-220SIS package for efficient thermal dissipation  

This information is based solely on TOSHIBA's official datasheet for the TPCA8055-H.