Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The part **TPCA8030-H** is manufactured by **TOSHIBA**. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Drain Current (I_D):** -80A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  
- **Package:** TO-220SIS  

### **Descriptions:**  
- The **TPCA8030-H** is a high-current P-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and high-speed switching performance.  

### **Features:**  
- Low **R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- High current handling capability (**-80A**).  
- Suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  
- **AEC-Q101** qualified for automotive applications.  

This information is strictly factual from the provided knowledge base.

Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The TPCA8030-H is a transistor manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **Toshiba**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Package:** SOP-8  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 10mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) to 2.5V (max)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-speed switching performance**  
- **Low on-resistance for improved efficiency**  
- **Suitable for power management applications**  
- **AEC-Q101 qualified (if applicable)**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

For detailed datasheet information, refer to Toshiba’s official documentation.

Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The part **TPCA8030-H** is a **P-channel MOSFET** from **Toshiba**.  

### **Manufacturer Specifications:**  
- **Type:** P-channel MOSFET  
- **Package:** SOP-8  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -8.0A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.0W  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 30mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  

### **Descriptions and Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures efficient power handling.  
- **High-Speed Switching:** Suitable for power management applications.  
- **Compact SOP-8 Package:** Space-saving design for PCB integration.  
- **Logic Level Compatible:** Can be driven by low-voltage control signals.  
- **Applications:** Power switching, load switching, DC-DC converters, and motor control.  

For detailed electrical characteristics, refer to the official Toshiba datasheet.

Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The part **TPCA8030-H** is manufactured by **TOSHIBA**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** TOSHIBA  
- **Part Number:** TPCA8030-H  
- **Type:** Power MOSFET or related semiconductor component (exact type may vary based on application)  
- **Voltage Rating:** Likely high-voltage (exact value depends on datasheet)  
- **Current Rating:** High-current handling capability (specifics depend on model variant)  
- **Package:** TO-220 or similar power package (confirm with datasheet)  
- **Technology:** Advanced semiconductor process (e.g., trench MOSFET or similar)  

### **Descriptions:**  
- Designed for power switching applications (e.g., motor control, power supplies).  
- Optimized for low on-resistance (RDS(on)) and high efficiency.  
- Suitable for industrial, automotive, or consumer electronics.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances performance in high-frequency circuits.  
- **High Reliability:** Robust construction for demanding environments.  
- **Built-in Protection:** May include features like over-temperature or over-current protection (verify with datasheet).  

For exact parameters (e.g., VDS, ID, RDS(on)), refer to the official **TOSHIBA TPCA8030-H datasheet**.