**Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 25V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 20V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 4V  
- **Collector Current (IC):** 50mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 150mW  
- **Transition Frequency (fT):** 8GHz (min)  
- **Noise Figure (NF):** 1.5dB (typical at 1GHz)  
- **Package:** SOT-323 (SC-70)  

**Descriptions and Features:**  
- Designed for high-frequency and low-noise amplification in RF applications.  
- Suitable for VHF/UHF band amplifiers, oscillators, and mixers.  
- Low noise figure enhances signal clarity in sensitive circuits.  
- Compact SOT-323 package for space-constrained designs.  
- High transition frequency supports fast switching and amplification.  

For exact performance characteristics, refer to the official Toshiba datasheet.

### **Specifications:**  
- **Type:** P-channel MOSFET  
- **Package:** SOP-8  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- **Low on-resistance** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for improved performance.  
- **Avalanche energy specified** for reliability in rugged conditions.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  

For detailed datasheets, refer to **TOSHIBA's official documentation**.