### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Package:** SOP-8  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -8.0A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 45mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures efficient power handling.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Low Drive Current Requirement:** Reduces power loss in gate driving circuits.  
- **Compact SOP-8 Package:** Space-saving design for PCB applications.  
- **Applications:** Power management, load switching, DC-DC converters, and motor control.  

For detailed datasheets, refer to **TOSHIBA's official documentation**.