### **Specifications:**  
- **Type:** High-power RF LDMOS Transistor  
- **Frequency Range:** 806-960 MHz  
- **Output Power:** 800 W (PEP)  
- **Gain:** 16 dB (typical)  
- **Efficiency:** 30% (typical)  
- **Voltage (VDS):** 50 V  
- **Package:** Flange  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-power RF amplification** in applications such as **broadcast, industrial, and amateur radio**.  
- Utilizes **LDMOS technology** for improved efficiency and thermal performance.  
- Suitable for **pulsed and continuous-wave (CW) operation**.  
- Robust construction for **high reliability** in demanding environments.  
- Matched for **50 Ω impedance** systems.  

For exact datasheet details, refer to **Toshiba's official documentation**.