Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The TPC8A06-H is a power MOSFET module manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **Toshiba**  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET Module  
- **Voltage Rating:** 600V  
- **Current Rating:** 8A  
- **Package Type:** TO-220F (isolated type)  
- **Configuration:** Single N-channel  
- **On-Resistance (RDS(on)):** Typically 1.2Ω (at VGS = 10V, ID = 4A)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 2.0V to 4.0V  
- **Maximum Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 30W (at Tc = 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (Tj):** -55°C to 150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for improved performance in power circuits.  
- Isolated package (TO-220F) for easy mounting with heatsinks.  
- Suitable for power supply, motor control, and inverter applications.  
- Built-in body diode for reverse current protection.  

This information is based on Toshiba's official documentation for the TPC8A06-H MOSFET module.

Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V)