Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The TPC8A03-H is a power module manufactured by **TOSHIBA (TOS)**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
1. **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Power Module  
2. **Voltage Rating:** Typically rated for high-voltage applications (exact voltage rating may vary; check datasheet for precise values).  
3. **Current Rating:** Designed for high-current switching (specific current ratings depend on model variant).  
4. **Package:** Module-type package with screw terminals for robust power connections.  
5. **Switching Speed:** Optimized for efficient high-frequency switching.  
6. **Isolation:** Provides electrical isolation between control and power circuits.  

### **Descriptions:**  
- The TPC8A03-H is a high-power semiconductor module used in applications such as motor drives, inverters, and industrial power systems.  
- It integrates IGBTs with freewheeling diodes for improved performance in switching applications.  
- Designed for reliability and thermal efficiency in demanding environments.  

### **Features:**  
1. **High Power Handling:** Suitable for industrial and high-power applications.  
2. **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency by reducing power losses.  
3. **Built-in Protection:** May include features like short-circuit and over-temperature protection (verify with datasheet).  
4. **Compact Design:** Modular construction for easy integration into power systems.  
5. **High Isolation Voltage:** Ensures safety in high-voltage circuits.  

For exact electrical ratings, pin configurations, and application guidelines, refer to the official **TOSHIBA datasheet** for the TPC8A03-H.