Power MOSFET (N-ch + P-ch complementary The TPC8407 is a semiconductor component manufactured by Toshiba. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
1. **Type:** PNP Epitaxial Planar Transistor  
2. **Applications:** High-frequency amplification, switching circuits  
3. **Collector-Base Voltage (VCBO):** -30V  
4. **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -20V  
5. **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
6. **Collector Current (IC):** -500mA  
7. **Total Power Dissipation (PT):** 300mW  
8. **Junction Temperature (Tj):** 125°C  
9. **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The TPC8407 is a PNP transistor designed for high-frequency applications.  
- It is housed in a small surface-mount package (SOT-323).  
- Suitable for amplification and switching in electronic circuits.  

### **Features:**
- High current gain (hFE) characteristics.  
- Low saturation voltage.  
- Compact and lightweight SMD package.  

For exact performance characteristics, refer to Toshiba’s official datasheet.

Power MOSFET (N-ch + P-ch complementary