Field Effect Transistor Silicon N, P Channel MOS Type (pi-MOSVI/U-MOSII) Lithium Ion Secondary Battery Applications Notebook PCs Portable Equipment Applications The TPC8402 is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.0085Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) to 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2900pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 900pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  
- **Package:** TO-220SIS  

### **Description:**  
The TPC8402 is a high-performance N-channel power MOSFET designed for applications requiring low on-resistance and high-speed switching. It is suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency power systems.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current capability  
- Improved avalanche energy resistance  
- Low gate charge for efficient drive  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on Toshiba's official datasheet for the TPC8402. For detailed application notes or further specifications, refer to the manufacturer's documentation.