Field Effect Transistor Silicon N, P Channel MOS Type (U-MOSII) Lithium Ion Secondary Battery Applications Portable Equipment Applications Notebook PCs The TPC8401 is a semiconductor device manufactured by Toshiba. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Type:** PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Package:** TO-92MOD (Mini Mold)  
- **Applications:** General-purpose amplification and switching  

### **Electrical Characteristics:**
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -500mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 500mW  
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C  
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C  

### **Features:**
- High current capability  
- Low saturation voltage  
- Complementary to NPN transistor TPC8400  

### **Descriptions:**
- Designed for use in general-purpose amplification and switching applications.  
- Suitable for low-power circuits due to its compact TO-92MOD package.  

For further details, refer to the official Toshiba datasheet.