Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII) Lithium Ion Battery Applications Portable Equipment Applications Notebook PCs The TPC8303 is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) to 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**
- **Package Type:** TO-220AB  
- **Pin Configuration:**  
  - **Pin 1:** Gate (G)  
  - **Pin 2:** Drain (D)  
  - **Pin 3:** Source (S)  

### **Features:**
- Low on-resistance for high efficiency  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Low gate drive requirement  
- Avalanche energy specified  
- RoHS compliant  

### **Applications:**
- Power management in DC-DC converters  
- Motor control circuits  
- Switching power supplies  
- Battery protection circuits  

This information is based on Toshiba's official datasheet for the TPC8303 MOSFET.