Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L2-pi-MOSVI) Lithium Ion Battery Applications Portable Equipment Applications Notebook PCs The TPC8302 is a power MOSFET transistor manufactured by TPC (TranSiC Power Components). Below are the factual details about the part:
### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 60A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 240A  
- **Power Dissipation (PD):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 3.5mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (min) - 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 2000pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 500pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 100pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 30ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
### **Description:**
The TPC8302 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion, motor control, and DC-DC converters.
### **Features:**
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance for improved efficiency  
- High current handling capability  
- Robust thermal performance  
- Avalanche energy rated for reliability in harsh conditions  
- Lead-free and RoHS compliant  
For exact application details, refer to the official datasheet from TPC.