Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L2-pi-MOSVI) Lithium Ion Battery Applications Portable Equipment Applications Notebook PCs The TPC8301 is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Here are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Toshiba  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 4.5mΩ (max) @ V_GS = 10V  
  - 6.0mΩ (max) @ V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) – 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 700pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-hole mounting)  

### **Features:**  
- Low on-resistance for high efficiency  
- Fast switching performance  
- Avalanche energy specified  
- Suitable for power management applications  

This information is based on Toshiba's datasheet for the TPC8301. For exact performance characteristics, refer to the official documentation.