Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III) Lithium Ion Battery Applications Portable Equipment Applications Notebook PC Applications The TPC8211 is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 10mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) to 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typical)  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The TPC8211 is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency power management applications.  

### **Features:**  
- Low **R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- High current handling capability.  
- Avalanche energy specified for ruggedness.  
- Suitable for high-frequency applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

(Note: Specifications may vary slightly depending on datasheet revisions.)

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III) Lithium Ion Battery Applications Portable Equipment Applications Notebook PC Applications