Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III) Lithium Ion Battery Applications Portable Equipment Applications Notebook PC Applications The TPC8210 is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 0.034Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min) – 4.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Package:** TO-220SIS  

### **Description:**  
The TPC8210 is a high-performance N-channel power MOSFET designed for switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power management in various electronic circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(ON)) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed for improved efficiency  
- High power dissipation capability  
- Robust and reliable performance in power applications  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power supplies  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.