Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS II) Lithium Ion Battery Applications Portable Equipment Applications Notebook PC Applications The TPC8209 is a P-channel MOSFET manufactured by TOSHIBA (TOS). Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -8.0A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 50mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  

### **Descriptions:**
- The TPC8209 is a P-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance for efficient power handling.  
- Suitable for use in DC-DC converters, motor drivers, and load switches.  

### **Features:**
- Low on-resistance for reduced power loss.  
- Fast switching performance.  
- Compact and surface-mountable package (typically SOP-8).  
- RoHS compliant.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official TOSHIBA datasheet.

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS II) Lithium Ion Battery Applications Portable Equipment Applications Notebook PC Applications The TPC8209 is a P-channel MOS FET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Toshiba. Below are its specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-channel MOS FET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -5.0A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.5W (Ta = 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 70mΩ (max) at V_GS = -10V, I_D = -4.5A  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  
- **Operating Temperature Range (T_j):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The TPC8209 is designed for power switching applications.  
- It is housed in a compact surface-mount package (typically SOP-8 or similar).  
- Suitable for low-voltage, high-efficiency power management.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced power loss.  
- Fast switching speed.  
- Built-in gate protection diode.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For exact package details and additional electrical characteristics, refer to Toshiba’s official datasheet.

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS II) Lithium Ion Battery Applications Portable Equipment Applications Notebook PC Applications The TPC8209 is a P-channel MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** P-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W (Ta = 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  
- **Operating Temperature Range (T_j):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The TPC8209 is a P-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is suitable for load switching, power management, and DC-DC conversion circuits.  
- The device is housed in a compact SOP-8 package, making it suitable for space-constrained applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal power loss during operation.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Compact Package:** SOP-8 (Small Outline Package) for space-saving designs.  
- **High Reliability:** Robust construction for stable performance in various conditions.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official Toshiba datasheet.

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS II) Lithium Ion Battery Applications Portable Equipment Applications Notebook PC Applications The TPC8209 is a P-channel MOS FET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Toshiba. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**
- **Type:** P-channel MOS FET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20 V  
- **Drain Current (I_D):** -4.5 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1 W  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 85 mΩ (max) at V_GS = -10 V  
- **Threshold Voltage (V_th):** -1.0 V to -2.5 V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The TPC8209 is designed for power switching applications.  
- It is housed in a small surface-mount package (e.g., SOP-8 or similar).  
- Suitable for low-voltage, high-efficiency circuits.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal power loss during operation.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Compact Package:** Ideal for space-constrained designs.  
- **High Reliability:** Robust construction for stable performance.  

For exact package type and additional details, refer to Toshiba’s official datasheet.