TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII) Lithium Ion Battery Applications Notebook PC Applications Portable Equipment Applications The TPC8206 is a P-channel MOSFET manufactured by TOS (Toshiba). Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** P-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -6.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -26A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 80pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  
- **Package:** SOP-8  

### **Descriptions:**  
The TPC8206 is a high-performance P-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and load switching circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced power loss  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Compact SOP-8 package for space-saving designs  
- Suitable for battery-powered and portable applications  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed operating conditions and reliability data, refer to the official TOS datasheet.