Power MOSFET (P-ch single) The TPC8129 is a power MOSFET module manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** N-channel power MOSFET module  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 12mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The TPC8129 is a high-performance power MOSFET module designed for switching applications.  
- It features low on-resistance and high-speed switching capabilities.  
- The module is suitable for power supply circuits, motor control, and other high-current applications.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on):** Minimizes conduction losses.  
- **High-Speed Switching:** Optimized for fast switching applications.  
- **Compact Package:** Designed for efficient thermal management.  
- **High Current Handling:** Supports high continuous and pulsed currents.  
- **Wide Operating Temperature Range:** Suitable for harsh environments.  

For detailed technical information, refer to Toshiba’s official datasheet for the TPC8129.