Power MOSFET (P-ch single) The TPC8126 is a power MOSFET module manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 12mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The TPC8126 is a high-performance power MOSFET designed for switching applications.  
- It is housed in a TO-220AB package, providing efficient thermal dissipation.  
- Suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- High current handling capability.  
- Built-in gate protection diode.  
- RoHS compliant.  

For exact details, always refer to the official Toshiba datasheet.