Power MOSFET (P-ch single) The TPC8117 is a P-channel MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -5.5A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W (at T_a=25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):**  
  - 50mΩ (max) at V_GS = -10V  
  - 60mΩ (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.4V to -1.5V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **Package:** SOP-8 (Small Outline Package)  
- **Low On-Resistance:** Ensures efficient power handling.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Logic Level Gate Drive:** Can be controlled with low-voltage signals.  
- **Applications:** Power management, load switching, DC-DC converters, and battery protection circuits.  

This information is based on Toshiba's official datasheet for the TPC8117. For detailed performance curves and application notes, refer to the manufacturer's documentation.

Power MOSFET (P-ch single)

Power MOSFET (P-ch single) The TPC8117 is a P-channel MOSFET manufactured by Toshiba. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.5 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -18 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1 W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Storage Temperature (T_stg):** -55°C to +150°C  

### **Electrical Characteristics:**  
- **Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 70 mΩ (max) at V_GS = -10 V, I_D = -4.5 A  
  - 100 mΩ (max) at V_GS = -4.5 V, I_D = -2.5 A  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.4 V to -2.5 V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 9.5 nC (typ)  

### **Package:**  
- **Package Type:** SOP-8 (Small Outline Package)  
- **Mounting Type:** Surface Mount  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- High-speed switching performance  
- Suitable for power management applications  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on Toshiba's datasheet for the TPC8117 MOSFET.

Power MOSFET (P-ch single)

Power MOSFET (P-ch single) The TPC8117 is a P-channel MOSFET manufactured by Toshiba. Here are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20 V  
- **Drain Current (I_D):** -4.5 A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 1 W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):**  
  - 85 mΩ (max) at V_GS = -10 V  
  - 120 mΩ (max) at V_GS = -4.5 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.4 V to -1.5 V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
- The TPC8117 is a P-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is housed in a compact **SOT-23** package, making it suitable for space-constrained designs.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for efficient power handling.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for battery protection, load switching, and power management circuits.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official Toshiba datasheet.

Power MOSFET (P-ch single)