Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The TPC8085 is a power transistor manufactured by Toshiba. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -5A  
- **Collector Dissipation (PC):** 30W  
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C  
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C  
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = -3A, VCE = -5V)  
- **Transition Frequency (fT):** 4MHz (min)  

### **Descriptions:**  
- The TPC8085 is designed for power amplification and switching applications.  
- It is housed in a **TO-220AB** package, making it suitable for heat dissipation in high-power circuits.  
- The transistor is optimized for low saturation voltage and high-speed switching.  

### **Features:**  
- **High current capability** (up to -5A)  
- **Low collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)):** -1.5V (max) at IC = -3A, IB = -0.3A  
- **Complementary NPN type available (TPC8084)**  
- **Suitable for power regulation, motor control, and switching circuits**  

For exact performance characteristics, refer to the official Toshiba datasheet.