Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V) The TPC8075 is a power transistor manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Toshiba  
### **Part Number:** TPC8075  

#### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** High-speed switching, power amplification  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 60V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 80V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 7V  
- **Collector Current (I_C):** 5A  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 25W (at 25°C)  
- **Junction Temperature (T_j):** 150°C  
- **Storage Temperature Range (T_stg):** -55°C to +150°C  
- **DC Current Gain (h_FE):** 60 to 320 (at I_C = 2A, V_CE = 2V)  
- **Turn-On Time (t_on):** 0.3µs (typical)  
- **Turn-Off Time (t_off):** 0.9µs (typical)  

#### **Features:**  
- High-speed switching capability  
- Low saturation voltage  
- High current gain  
- Suitable for power amplification and switching applications  

#### **Package:**  
- **Type:** TO-220 (Through-hole package)  
- **Pin Configuration:**  
  - **1:** Base (B)  
  - **2:** Collector (C)  
  - **3:** Emitter (E)  

This information is based on Toshiba's datasheet for the TPC8075 transistor.

Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V)