Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The TPC8063-H is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Toshiba  
### **Part Number:** TPC8063-H  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3600pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 900pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 120pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 35ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  

### **Description:**  
The TPC8063-H is a high-performance N-channel power MOSFET designed for applications requiring low on-resistance and high-speed switching. It is suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High-speed switching performance  
- Low gate charge for improved efficiency  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- TO-220AB package for efficient heat dissipation  

This information is based on Toshiba's official datasheet for the TPC8063-H.