Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The TPC8062-H is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 6.2mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min) to 4.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1000pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 180pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- The TPC8062-H is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and high current capability, making it suitable for motor control, power supplies, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **High-Speed Switching:** Optimized for fast switching applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in inductive load conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

For further details, refer to Toshiba's official datasheet.