Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The TPC8060-H is a power transistor module manufactured by **TOSHIBA**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Power Module  
- **Voltage Rating:** Typically rated for high-voltage applications (exact voltage depends on variant)  
- **Current Rating:** Designed for high-current handling (specific value varies by model)  
- **Package Type:** Module with an insulated base for easy mounting  
- **Switching Speed:** Optimized for fast switching applications  
- **Applications:** Used in power electronics such as inverters, motor drives, and industrial equipment  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Power Handling:** Suitable for high-power applications due to robust construction.  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency by reducing power losses.  
- **Built-in Diode:** Includes a freewheeling diode for protection in inductive load applications.  
- **Isolated Base:** Allows direct mounting to a heatsink without insulation concerns.  
- **Reliability:** Designed for long-term operation in demanding environments.  

For exact voltage, current, and thermal specifications, refer to the official **TOSHIBA datasheet** for the **TPC8060-H**.

Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V)