Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) **Manufacturer:** Toshiba  
**Part Number:** TPC8058-H  
**Specifications:**  
1. **Type:** Power MOSFET  
2. **Technology:** N-Channel  
3. **Drain-Source Voltage (VDSS):** 60V  
4. **Continuous Drain Current (ID):** 30A  
5. **Pulsed Drain Current (IDM):** 120A  
6. **Power Dissipation (PD):** 100W  
7. **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
8. **On-Resistance (RDS(on)):** 0.0085Ω (at VGS = 10V)  
9. **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
10. **Package:** TO-220  
**Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management systems.  
- Robust and reliable construction for industrial applications.  
(Note: Verify datasheet for exact values as specifications may vary.)