Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) Here are the factual details about part TPC8057-H from the manufacturer Toshiba:
### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Part Number:** TPC8057-H  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Module  
- **Voltage Rating:** Typically high voltage (exact rating depends on datasheet)  
- **Current Rating:** High current handling capability (specific value available in datasheet)  
- **Package Type:** Module (specific package details in datasheet)  
- **Application:** Power electronics, motor drives, inverters, industrial applications  
### **Descriptions and Features:**
- **High Efficiency:** Designed for low switching and conduction losses.  
- **Robust Construction:** Suitable for high-power applications.  
- **Thermal Performance:** Optimized for heat dissipation, often includes built-in thermal management.  
- **Reliability:** Engineered for long-term stability in demanding environments.  
- **Integrated Design:** May include built-in diodes or other protective features.  
For exact electrical characteristics, pin configurations, and application notes, refer to the official Toshiba datasheet for TPC8057-H.