Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V) The part **TPC8045-H** is manufactured by **Toshiba**. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C):** 80A  
- **Package Type:** TO-247  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** Typically 1.8V (at specified conditions)  
- **Switching Speed:** Fast switching characteristics  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to 150°C  

### **Descriptions:**  
- The **TPC8045-H** is a high-power IGBT designed for applications requiring efficient switching and high current handling.  
- It is commonly used in power electronics such as inverters, motor drives, and industrial power supplies.  
- The TO-247 package ensures good thermal performance and mechanical robustness.  

### **Features:**  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency in high-current applications.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency operations.  
- **High Current Capability:** Supports up to 80A continuous current.  
- **Built-in Diode:** Includes a freewheeling diode for improved circuit protection.  
- **High Reliability:** Designed for industrial and automotive applications.  

This information is strictly based on available data for the Toshiba **TPC8045-H** IGBT.

Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V) The TPC8045-H is a power MOSFET manufactured by TOS (Toshiba). Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 45V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (typical) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1000pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220  

### **Description:**  
The TPC8045-H is a high-performance N-channel power MOSFET designed for high-current switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power management in motor control, DC-DC converters, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed for improved efficiency  
- High current handling capability  
- Robust thermal performance  
- Avalanche energy specified for reliability in harsh conditions  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For precise details, refer to the official TOS datasheet for the TPC8045-H.