Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The TPC8041 is a P-channel MOS FET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Toshiba. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
1. **Type:** P-channel MOS FET  
2. **Drain-Source Voltage (VDS):** -30V  
3. **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
4. **Drain Current (ID):** -4.5A  
5. **Power Dissipation (PD):** 1W  
6. **On-Resistance (RDS(on)):** 0.15Ω (max) at VGS = -10V, ID = -4.5A  
7. **Gate Threshold Voltage (Vth):** -0.4V to -2.0V  
8. **Input Capacitance (Ciss):** 500pF (typical)  
9. **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The TPC8041 is designed for low on-resistance and high-speed switching applications.  
- It is suitable for power management in portable devices, DC-DC converters, and load switching circuits.  
- The device is housed in a compact surface-mount package (e.g., SOP-8 or similar, depending on variant).  

### **Features:**
1. **Low On-Resistance:** Ensures minimal power loss during conduction.  
2. **High-Speed Switching:** Optimized for fast switching applications.  
3. **Low Gate Drive Voltage:** Compatible with low-voltage control circuits.  
4. **Compact Package:** Suitable for space-constrained designs.  
5. **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

For exact package details and additional electrical characteristics, refer to Toshiba’s official datasheet for the TPC8041.