Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The TPC8035-H is a P-channel MOSFET manufactured by Toshiba. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**  
- **Type:** P-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.5W (Ta = 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 85mΩ (max) at V_GS = -10V, I_D = -4.5A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V (V_DS = V_GS, I_D = -250μA)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The TPC8035-H is designed for power switching applications.  
- It is housed in a small surface-mount package (SOP-8).  
- Suitable for low-voltage, high-efficiency circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced power loss.  
- Fast switching performance.  
- Compact and lightweight package.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For exact application details, refer to Toshiba’s official datasheet.

Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V)