TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (High speed U-MOS III) The TPC8016-H is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1800pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typical)  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
The TPC8016-H is a high-performance N-channel power MOSFET designed for high-current, high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power electronics applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High-speed switching performance  
- High current handling capability  
- Low gate charge for improved efficiency  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (High speed U-MOS III) The TPC8016-H is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Toshiba  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1400pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 40ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 65ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Description:**  
The TPC8016-H is a high-performance N-channel power MOSFET designed for high-current switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- High-speed switching performance  
- High current handling capability  
- Robust and reliable construction  
- Suitable for high-efficiency power conversion  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (High speed U-MOS III) The TPC8016-H is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 6000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1500pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typ)  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-current, high-efficiency switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(ON)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for power management in motor control, DC-DC converters, and power supplies.  
- Robust and reliable construction for industrial applications.  

(Note: Always refer to the official Toshiba datasheet for the most accurate and detailed information.)