Low Threshold P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FETs The TP2510N8-G is a MOSFET transistor manufactured by SUPERTEX. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SUPERTEX  
- **Part Number:** TP2510N8-G  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Package:** SOT-23 (8-Pin)  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 0.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 0.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 10Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 3V (max)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for low-power switching applications.  
- Suitable for high-voltage, low-current circuits.  
- Fast switching speed.  
- Low gate charge for efficient operation.  
- RoHS compliant.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official SUPERTEX datasheet.

Low Threshold P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FETs