N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET The TN2524N8-G is a high-voltage N-channel MOSFET manufactured by SUPERTEX. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 250V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 0.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 2A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 12Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5V (min), 3V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 10pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 3pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 1pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23-3  

### **Descriptions:**
- The TN2524N8-G is designed for high-voltage switching applications.  
- It is optimized for low gate charge and fast switching performance.  
- Suitable for power management, LED drivers, and other high-voltage circuits.  

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** Supports up to 250V drain-source voltage.  
- **Low On-Resistance:** Ensures efficient power handling.  
- **Fast Switching:** Low input/output capacitances enable quick transitions.  
- **Compact Package:** SOT-23-3 form factor for space-constrained designs.  
- **Reliable Performance:** Operates across a wide temperature range.  

This information is sourced from SUPERTEX's datasheet for the TN2524N8-G MOSFET.