N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs The part **TN0620N3** is manufactured by **SI (Siliconix)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.062Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2.5V (max)  

### **Descriptions & Features:**  
- Low on-resistance for efficient power handling.  
- Fast switching speed.  
- Suitable for power management applications.  
- TO-220AB package for easy mounting and heat dissipation.  
- Designed for use in DC-DC converters, motor control, and power switching circuits.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs The TN0620N3 is a high-voltage N-channel MOSFET manufactured by Supertex Inc.  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 0.62A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 2.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 20W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 10Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 15pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 5pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 1.5pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- High-voltage MOSFET designed for switching applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Suitable for high-voltage power supplies, inverters, and industrial applications.  
- TO-92 package for compact and cost-effective designs.  
- RoHS compliant.  

Let me know if you need further details.

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs The TN0620N3 is a high-voltage N-channel MOSFET manufactured by Supertex (now part of Microchip Technology). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Supertex (Microchip Technology)  
- **Part Number:** TN0620N3  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 0.62A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 2.5A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 20W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 10Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 15pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 5pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 2pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Package:** TO-92 (Through-Hole)  

### **Description:**  
The TN0620N3 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications requiring efficient performance at high voltages. It is suitable for use in power supplies, inverters, and other high-voltage circuits.  

### **Features:**  
- High breakdown voltage (600V)  
- Low gate charge for fast switching  
- Low input capacitance  
- TO-92 package for easy mounting  
- Suitable for high-voltage applications  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs