N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs The part TN0610N3 is manufactured by SI (Siliconix). Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 60V  
- **Current Rating (ID):** 10A  
- **Power Dissipation (PD):** 40W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.061Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (min) - 4V (max)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220  

### **Description:**  
The TN0610N3 is an N-channel enhancement-mode power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management and DC-DC conversion circuits.

### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses  
- High current handling capability (10A continuous)  
- Fast switching speed  
- Robust thermal performance in a TO-220 package  
- Suitable for power supply, motor control, and load switching applications  

For detailed datasheet information, refer to the manufacturer's official documentation.

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs