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TN0606N5 from

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TN0606N5

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
TN0606N5 50 In Stock

Description and Introduction

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs The TN0606N5 is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 6A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 24A  
- **Power Dissipation (PD):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.06Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 400pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 35ns (typ)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The TN0606N5 is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and other power management circuits.

### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed for improved efficiency  
- High current handling capability  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official Toshiba datasheet.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
TN0606N5 supertex 1928 In Stock

Description and Introduction

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs The TN0606N5 is a high-voltage N-channel MOSFET manufactured by Supertex (now part of Microchip Technology).  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 0.6A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 2.4A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 20W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 10Ω (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 8.5pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 3.5pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 1.5pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 35ns  
- **Rise Time (tr):** 15ns  
- **Fall Time (tf):** 10ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-92  

### **Descriptions and Features:**  
- High-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Suitable for high-voltage, low-current applications.  
- Used in power supplies, inverters, and electronic ballasts.  
- Robust construction for reliable operation in harsh conditions.  

The TN0606N5 is optimized for efficiency in high-voltage circuits where fast switching and low power loss are critical.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
TN0606N5 VISHAY 25 In Stock

Description and Introduction

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs The TN0606N5 is a N-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 60 V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 6 A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 24 A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5 W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.06 Ω (at VGS = 10 V)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1 V to 2 V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 300 pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 60 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 20 pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10 ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 30 ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The TN0606N5 is a power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It offers low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management, DC-DC converters, and motor control applications.

### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Robust thermal performance  
- Suitable for surface-mount applications (DPAK package)  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

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