Enhancement-Mode MOSFET Transistors **Part TN0201L Manufacturer SI Specifications, Descriptions, and Features:**  

- **Manufacturer:** SI (Silicon Integration)  
- **Part Number:** TN0201L  
- **Type:** Low-power N-channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 20V  
- **Current Rating (ID):** 2.5A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 1.25W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.08Ω (max) @ VGS = 4.5V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 0.8V (min) – 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 180pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23 (3-pin)  

**Features:**  
- Low on-resistance for efficient power management  
- Fast switching performance  
- Suitable for battery-powered and portable applications  
- RoHS compliant  

**Applications:**  
- Power management circuits  
- Load switching  
- DC-DC converters  
- Battery protection circuits  

(Source: Manufacturer datasheet for TN0201L.)

Enhancement-Mode MOSFET Transistors Here are the factual details about part TN0201L from the manufacturer SI/VISHAY:  

### **Manufacturer:** SI/VISHAY  
### **Part Number:** TN0201L  

#### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 20V  
- **Current Rating (I_D):** 0.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 0.2W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8V  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 3Ω (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 0.45V (min), 1.5V (max)  
- **Package:** SOT-23  

#### **Descriptions:**  
- A small-signal N-Channel MOSFET designed for low-power switching applications.  
- Suitable for portable electronics, battery management, and load switching.  

#### **Features:**  
- Low threshold voltage for compatibility with logic-level signals.  
- Compact SOT-23 package for space-constrained designs.  
- RoHS compliant.  

For further details, refer to the official SI/VISHAY datasheet.

Enhancement-Mode MOSFET Transistors The part TN0201L is a high-performance N-channel MOSFET transistor. Here are its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 25A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 0.5V (min) - 1.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 580pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The TN0201L is a surface-mount MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is commonly used in DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  
- The device features a low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-frequency applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances power efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Reduces switching losses.  
- **Low Gate Charge:** Improves high-frequency performance.  
- **ESD Protection:** Provides robustness against electrostatic discharge.  
- **Compact Package:** Available in SOT-23 or similar small form factors for space-constrained designs.  

This information is based solely on the provided knowledge base.

Enhancement-Mode MOSFET Transistors **Manufacturer:** STMicroelectronics  

**Part Number:** TN0201L  

**Specifications:**  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Technology:** Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2.5V (max)  
- **Package:** SOT-23  

**Descriptions:**  
The TN0201L is an N-channel power MOSFET designed for low-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for efficiency in power management circuits.  

**Features:**  
- Low threshold voltage  
- Fast switching speed  
- Low on-resistance  
- Compact SOT-23 package  
- Suitable for battery-powered applications