N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs The part TN0104N3 is manufactured by SI (Siliconix). Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.1Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The TN0104N3 is a power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- Fast switching speed  
- High current handling capability  
- Robust thermal performance  
- Suitable for power management and motor control applications  

For further details, refer to the manufacturer's datasheet.