TOSHIBA MOS MEMORY PRODUCTS Part Number: **TMM2064P-10**  
Manufacturer: **TOSHIBA**  

### **Specifications:**  
- **Type:** SRAM (Static Random Access Memory)  
- **Organization:** 8K x 8-bit (64K-bit)  
- **Access Time:** 100 ns  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Package:** 28-pin DIP (Dual In-line Package)  
- **Operating Temperature Range:** 0°C to +70°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Speed Operation:** Suitable for applications requiring fast access times.  
- **Low Power Consumption:** CMOS technology ensures efficient power usage.  
- **Wide Operating Voltage Range:** Supports standard 5V power supply with tolerance.  
- **Reliable Performance:** Designed for stable operation in industrial and commercial environments.  
- **Compatibility:** Directly replaceable with other industry-standard 8K x 8 SRAMs.  

This SRAM is commonly used in embedded systems, industrial controls, and legacy computing applications.

TOSHIBA MOS MEMORY PRODUCTS

TOSHIBA MOS MEMORY PRODUCTS The part **TMM2064P-10** is a **SRAM (Static Random Access Memory)** chip. Below are its specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Manufacturer:**  
- Texas Instruments (TI)  

### **Specifications:**  
- **Type:** 64K (65,536) x 1-bit SRAM  
- **Speed:** 100 ns (TMM2064P-10)  
- **Voltage Supply:** 5V ±10%  
- **Operating Temperature Range:** 0°C to 70°C (Commercial)  
- **Package:** 18-pin DIP (Dual In-line Package)  
- **Technology:** CMOS  
- **Organization:** 64K x 1  
- **Access Time:** 100 ns  
- **Standby Current (Max):** 10 µA (CMOS standby mode)  
- **Operating Current (Typical):** 40 mA  

### **Descriptions:**  
- The **TMM2064P-10** is a **low-power CMOS static RAM** designed for applications requiring moderate speed and low power consumption.  
- It is commonly used in **embedded systems, industrial controls, and computing applications** where reliable, non-volatile memory is not required.  
- The **18-pin DIP** package makes it suitable for through-hole PCB mounting.  

### **Features:**  
- **Low Power Consumption:** CMOS technology ensures reduced power usage in both active and standby modes.  
- **Wide Operating Voltage:** Supports 5V ±10% supply range.  
- **High-Speed Access:** 100 ns access time suitable for many real-time applications.  
- **Single-Bit Organization:** 64K x 1 configuration allows flexible memory interfacing.  
- **Fully Static Operation:** No refresh cycles required, unlike DRAM.  
- **TTL-Compatible Inputs/Outputs:** Ensures compatibility with standard logic levels.  
- **Tri-State Outputs:** Allows bus sharing in multi-device systems.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For exact electrical characteristics and timing diagrams, refer to the official datasheet.

TOSHIBA MOS MEMORY PRODUCTS