60mA; 150mW; GaAs IRED & photo-transistor The TLP634-GB is a photocoupler (optocoupler) manufactured by Toshiba. Here are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **Toshiba**  

### **Specifications:**  
- **Type:** Photocoupler (Optocoupler)  
- **Input Type:** Infrared LED  
- **Output Type:** Phototransistor  
- **Isolation Voltage:** 5000 Vrms (min)  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 80 V (max)  
- **Collector Current (IC):** 50 mA (max)  
- **Current Transfer Ratio (CTR):** 50% (min) at IF = 5 mA, VCE = 5 V  
- **Response Time (tPLH/tPHL):** 4 µs (max)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +110°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Isolation Voltage:** Provides electrical isolation between input and output.  
- **Compact Package:** Available in a 4-pin DIP package.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-speed signal transmission.  
- **Reliable Performance:** Designed for industrial and communication applications.  
- **Low Power Consumption:** Efficient for control circuits.  

For exact datasheet details, refer to Toshiba's official documentation.

60mA; 150mW; GaAs IRED & photo-transistor

60mA; 150mW; GaAs IRED & photo-transistor The TLP634-GB is a photocoupler (optoisolator) manufactured by Toshiba. Here are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Photocoupler (Optocoupler)  
- **Input Type:** Infrared LED  
- **Output Type:** Phototransistor  
- **Isolation Voltage:** 5000 Vrms (min)  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 80 V (max)  
- **Collector Current (IC):** 50 mA (max)  
- **Current Transfer Ratio (CTR):** 50% (min) at IF = 5 mA, VCE = 5 V  
- **Response Time (tPLH/tPHL):** 4 μs (max)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +110°C  
- **Package:** 4-pin DIP (Dual In-line Package)  

### **Descriptions:**  
- The TLP634-GB is a high-reliability photocoupler designed for signal isolation in electronic circuits.  
- It consists of an infrared LED optically coupled to a phototransistor, providing electrical isolation between input and output.  
- Suitable for applications requiring high voltage isolation and fast response times.  

### **Features:**  
- **High Isolation Voltage:** 5000 Vrms ensures reliable electrical separation.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-speed signal transmission.  
- **Wide Operating Temperature Range:** Can function in harsh environments.  
- **Compact DIP Package:** Easy to integrate into circuit designs.  
- **High CTR (Current Transfer Ratio):** Ensures efficient signal transfer.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

60mA; 150mW; GaAs IRED & photo-transistor