Photocoupler GaAs Ired & Photo .Transistor The TLP141G is an optocoupler manufactured by Toshiba. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Type:** Phototransistor Optocoupler  
- **Isolation Voltage:** 5000 Vrms (min)  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 80 V (max)  
- **Emitter-Collector Voltage (VECO):** 5 V (max)  
- **Collector Current (IC):** 50 mA (max)  
- **Current Transfer Ratio (CTR):** 50% (min) at IF = 5 mA  
- **Input Forward Current (IF):** 50 mA (max)  
- **Forward Voltage (VF):** 1.3 V (typ) at IF = 20 mA  
- **Response Time (tr/tf):** 3 μs / 2.7 μs (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +110°C  

### **Descriptions:**  
- The TLP141G is a high-isolation voltage optocoupler consisting of a GaAlAs infrared LED and a phototransistor.  
- It provides electrical isolation between input and output circuits.  
- Suitable for applications requiring high noise immunity and signal isolation.  

### **Features:**  
- **High Isolation Voltage:** 5000 Vrms ensures strong electrical separation.  
- **Compact Package:** Comes in a 4-pin DIP (Dual In-line Package).  
- **High CTR:** Ensures efficient signal transmission.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-speed signal applications.  
- **Wide Operating Temperature Range:** Reliable performance in harsh environments.  

This information is based solely on the available technical data for the TLP141G optocoupler from Toshiba.