Photocoupler GaAlAs Ired & Photo IC The TLP112A is an optocoupler manufactured by Toshiba. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Isolation Voltage:** 3750 Vrms (min)  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 80 V (max)  
- **Emitter-Collector Voltage (VECO):** 7 V (max)  
- **Collector Current (IC):** 50 mA (max)  
- **Current Transfer Ratio (CTR):** 50% (min) at IF = 5 mA, VCE = 5 V  
- **Input Forward Current (IF):** 50 mA (max)  
- **Reverse Input Voltage (VR):** 5 V (max)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +110°C  
- **Package Type:** DIP4 (4-pin Dual In-line Package)  

### **Description:**  
The TLP112A is a photocoupler (optocoupler) consisting of a GaAs infrared LED and a silicon phototransistor. It provides electrical isolation between input and output circuits, making it suitable for noise immunity and signal transmission in various applications.  

### **Features:**  
- High isolation voltage (3750 Vrms)  
- High current transfer ratio (CTR)  
- Compact DIP4 package  
- Reliable performance in harsh environments  
- Compatible with lead-free soldering processes  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet. For detailed application notes or circuit recommendations, refer to Toshiba's official documentation.