**Part Number:** TLN105B(F)  

### **Specifications:**  
1. **Type:** Transistor (Bipolar Junction Transistor - BJT)  
2. **Polarity:** NPN  
3. **Maximum Collector-Base Voltage (V_CBO):** 50V  
4. **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 50V  
5. **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V  
6. **Maximum Collector Current (I_C):** 100mA  
7. **Power Dissipation (P_D):** 150mW  
8. **Transition Frequency (f_T):** 250MHz  
9. **DC Current Gain (h_FE):** 120 - 560 (at V_CE = 6V, I_C = 2mA)  
10. **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **Application:** General-purpose amplification and switching.  
- **Package Type:** TO-92 (plastic-encapsulated transistor).  
- **Low Noise:** Suitable for small-signal amplification.  
- **High Transition Frequency:** Enables high-speed switching.  
- **Complementary PNP Pair:** Can be used with TLP105B(F) for push-pull circuits.  

This information is based on TOSHIBA's datasheet for the TLN105B(F) transistor.