Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK9A60D is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 0.6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 700pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 110pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to 150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-voltage switching applications.  
- Suitable for power supplies, motor control, and inverters.  
- Low on-resistance for improved efficiency.  
- Fast switching performance.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances performance in high-frequency applications.  
- **High Voltage Rating:** Supports up to 600V applications.  
- **Low Gate Charge:** Improves switching efficiency.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in inductive load conditions.  

For exact details, always refer to the official Toshiba datasheet.