Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK9A55DA is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 9.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The TK9A55DA is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and high-speed switching, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management systems.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Low gate charge for efficient drive  
- Robust thermal performance  
- Lead-free and RoHS compliant  

For detailed datasheet information, refer to Toshiba’s official documentation.