Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK8P60W is a P-channel MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge base:

### **Specifications:**  
- **Type:** P-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -60V  
- **Drain Current (I_D):** -8A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):**  
  - 0.12Ω (max) at V_GS = -10V  
  - 0.15Ω (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  
- **Package:** TO-220SIS  

### **Descriptions:**  
- Designed for power switching applications.  
- Low on-resistance for improved efficiency.  
- Fast switching performance.  

### **Features:**  
- Low gate charge for reduced switching loss.  
- Avalanche energy specified for reliability.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management.  

For exact details, refer to the official Toshiba datasheet.