Power MOSFET (N-ch 150V<VDSS≤250V) The TK8P25DA is a P-channel MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -25V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -8.0A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 50mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The TK8P25DA is a P-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and load switching circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(ON)) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High power dissipation capability  
- Compact and surface-mountable TO-252 (DPAK) package  
- Suitable for battery protection, power switches, and other low-voltage applications  

This information is based on Toshiba's official datasheet for the TK8P25DA MOSFET.