Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK8A60W is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Toshiba  
### **Part Number:** TK8A60W  
### **Type:** Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 65ns (typical)  
- **Package:** TO-220F (isolated type)  

### **Features:**  
- Low on-resistance for high efficiency  
- Fast switching performance  
- High voltage capability (600V)  
- Isolated TO-220F package for improved thermal performance  
- Suitable for power switching applications  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control circuits  
- Inverters  
- High-voltage power management  

This information is based solely on Toshiba's datasheet for the TK8A60W MOSFET.