Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK8A55DA is a semiconductor device manufactured by Toshiba. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Package:** SOP Advance (Small Outline Package)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W (single MOSFET)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 28mΩ (max) at V_GS = 10V  
  - 35mΩ (max) at V_GS = 4.5V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance for improved efficiency.  
- Compact SOP Advance package for space-saving designs.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  
- Dual N-Channel configuration allows for efficient circuit integration.  

For further technical details, refer to Toshiba’s official datasheet.