Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK8A50DA is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Manufacturer:** Toshiba  
### **Part Number:** TK8A50DA  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **TO-220SIS (Single Island Structure)**  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 500V drain-source voltage rating.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Improved Avalanche Energy:** Enhances ruggedness.  
- **Single Island Package (TO-220SIS):** Provides isolated mounting for better thermal management.  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control circuits  
- Inverters  
- High-voltage DC-DC converters  

This information is based solely on Toshiba's datasheet for the TK8A50DA MOSFET.